纳米到二十四纳米之后，就需要euv光刻机进行多次曝光了————这也是n3工艺的晶片对比n4/n5工艺的晶片贵一大截的主要原因，曝光次数一多，良率就会下降，成本瞬间就上去了。

而到了智云微电子正在研发的n2工艺里，那么就更难了————因为这个工艺的金属间隔已经来到了二十纳米，依靠传统euv光刻机生产的话，不是不能做，而是需要非常复杂的工艺，成本也会上涨到商业无法接受的程度。

这就需要更先进的光刻机了，即高数值孔径光刻机：heuv—800系列！

这种光刻机从理论上来说，是能够把金属间隔做到十六纳米的————当然，这只是理论的物理上限，具体能够做到，就需要依靠智云微电子这种工艺厂商的技术了。

世人常说的n3/n5/n7工艺，是各大厂商自称的等效工艺，并不是说物理工艺，通常来说，形成工艺的先进程度，尤其是衡量光刻机性能水平的是指金属间隔」。

现在的n3工艺，其金属间隔大概在二十多纳米，不同厂商有不同的技术标准————所以不同厂商之间的n3工艺，其实金属间隔差别会比较大。

同时晶片性能的提升，也不是说只有缩小金属间隔这一条技术路线，还有其他的很多技术路线，同样可以实现n3工艺级别的性能。

这里只说代表物理极限，最能体现一家半导体厂商硬实力的金属间隔。

同样的光刻机，在不同的半导体厂商里，所能做的工艺是不一样的————而且差距会特别大。

但是对于智云微电子而言，问题不大，他们的技术积累足够雄厚，研发人员足够牛逼————只要海湾科技能够提供理论上满足要求的光刻机设备，他们就能够不断地在工艺上进步，然后一步一步的逼近其物理极限。

当年，智云微电子可是用duv光刻机就大规模量产七纳米工艺，甚至一度打算采用duv

光刻机量产五纳米工艺————只不过后来euv光刻机发展顺利，用不着继续走这么极端的技术路线而已。

最近几年的n2工艺的早期研发，也是用传统euv光刻机来做的————

同时智云微电子还在持续的在n3工艺上不断进行探索，在n3工艺之外，又开发了n3l

工艺和n3工艺————

其最先进的n3工艺，其金属间隔已经来到了二十二纳米，对比n3工艺的性能其实已经有了非常大的提升，并且已经无限逼近传统euv光刻机的物理极限了。

在逼近设备物理极限上，智云微电子是有着非常丰富的经验的。

只要给他们足够先进的设备，他们就能够把这些先进设备的性能给发挥出来！

在高数值孔径euv光刻机里也是同样如此！

而当第一台heuv—800光刻机交付之后，通城这个半导体城市又成为了全球范围内，首家拥有量产型号高数值孔径的城市，也是第一个拥有n2工艺晶圆厂的城市！

因为n2工艺的重要性，直接关系到下一代多种先进逻辑晶片能否顺利投产，影响到未来人工智慧技术的整体提升。

徐申学对此也比较重视，在这台光刻机安装调试完毕

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