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众人回头望去，只见晶圆厂屋顶上，大片深蓝色光伏板正在夕阳下泛着金属光泽，板面纹路恰似龙鳞般层叠起伏。

更令人震撼的是，这些「鳞片」正随着太阳角度自动调整倾角，宛如巨龙在呼吸。

牛科长深深地往回看了一眼，他仿佛看到一条巨龙正在苏醒，不日就将要腾飞九霄。

送走巡查组的众人之后，李兴汉并没有陷入志得意满的情绪中。

纳米压印光刻机虽然尤其优势，但是无法生产复杂的逻辑晶片就是其最大的劣势，这也就意味着目前的星汉科技并不具备生产cpu和gpu的能力。

比起市场庞大的cpu和gpu乃至于手机oc晶片而言，内存这点市场实在算不上什么。

回到办公室后，他看向了曹清华教授问道：「纳米压印光刻机到底还有哪些问题，让它不能生产逻辑晶片？」

曹教授早有准备，将一份标满红色批注的技术报告摊开在办公桌上：「主要就3个大问题。

首先是多图案化工艺问题，传统光刻通过单次曝光定义电晶体结构，而纳米压印需四次叠加压印才能达到同等精度。

四次误差累积导致栅极宽度波动达52n，远超逻辑晶片允许的土08n阈值，这会导致cpu频率稳定性下降30，gpu流处理器良率仅62。

另外，压印树脂在固化时产生05体积收缩，会造成导线宽度畸变，在1亿电晶体/2的gpu晶片上，畸变导致时钟信号抖动增加47，直接影响i计算精度。

还有就是压印模板存在纳米级气泡残留，会导致每平方厘米超200个缺陷点，内存晶片可通过冗余存储单元规避，但逻辑晶片无法屏蔽，直接导致手机oc良率不足15。」

李兴汉这段时间没有少补习相关的知识，知道这些问题都非常难解决，不过他倒也不是很担心，毕竟他有挂。

但他并没有急着开挂，而是想听听曹教授有没有什么好的想法。

「这些问题有办法解决吗？」

曹清华推了推眼镜：「我目前想到了一个解决思路，那就是混合光刻」方案，用duv深紫外光刻完成关键层，纳米压印负责非关键层。」

他把另外一份文件放到了李兴汉的面前，上面标注着红蓝交错的工艺流程图：「具体分三步走：首先用duv光刻机完成ffe鳍片和栅极的28n关键层，确保电晶体基础结构精度控制在&177;07n。

然后用纳米压印负责金属互联层，利用其高深宽比优势实现1：10的铜互连结构。

第三步通过我们研发的低温键合技术实现层间对准，误差可压缩到12n以内。

我初步估算过，这样的混合光刻」方案，性能比纯duv方案提升12，成本降低40，也是目前可行性最高的方案，只不过找到合适的合作厂商也是个很大的问题。」

李兴汉摸着下巴想了想，这确实是个不错的解决方案，要是国内有28n制程能力的duv光刻厂商倒是可以合作一下。

可惜的是，国内现在并没有这样的厂商，中芯国际也才刚把制程提升到40n阶段，跟星汉半导体半斤八两的水平。

国外制程先进的三星和台积

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